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论文编号: 2015-2013
作者: Ren, Shengdong(1,2,3); Li, Bincheng(1,2); Wang, Qian(1,2,3)
刊物名称: International Journal of Thermophysics
所属学科:
论文题目英文: Combined Frequency- and Time-Domain Photocarrier Radiometry Characterization for Annealing Temperature Dependence of Arsenic Ion-Implanted Silicon Wafers
年: 2015
卷: 36
期: 5-6
页: 1045-1050
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